Silicon carbide (SiC) ceramics have excellent properties such as strong oxidation resistance, good wear resistance, high hardness, good thermal stability, high temperature strength, small thermal expansion coefficient, high thermal conductivity, thermal shock resistance and chemical corrosion resistance. Therefore, it has shown its talents in the fields of petroleum, chemical industry, machinery, aerospace, nuclear energy, etc{1}}, en heet mie aondach betaold door luuj.} beveurbeeld SiC-ceramiek kinne weure gebruuk es ‘n versjeieheid aon lagers, balle, spuitkop, seals, snijgereidsjappe, gasturbineblade, turbo-chargers, reflectiesjerme en rakettenstoornisse, oonder andere .
De oetstekende eigesjappe vaan SiC-ceremische ceramiek zien nauw verboonde mèt hun unieke structuur. SiC is ‘n samesjtèlling mèt sterke covalente bindinge, en de ioniciteit vaan Si-C-bindinge in SiC is slechts zoe’n 12%{{3} Daarom, SiC heet ‘n groete elastiese modulus, en ‘n oetstekende slijtvastingsresistentie{4} Pure SiC zal neet were aongevalle door zoer oplossinge zoe wie HCl, H2O3, H2O3, H2O3. en HF, en alkaline-oplossinge zoe wie NaOH{8}} ‘t Is gemeekkelik te oxidere es ze in de loch verhitte, mèr de SiO2 gevörmp det tijdens oxidasie de wijere diffusie vaan zuurstof zal remme, dus ‘t oxidasiesnelheid is neet hoegáts, betot SiC oxideert. thermisch geleidingsiviteit.
SiC heet twie kristalvörm, en {{vange} De kristalstructuur vaan -SiC is kubieke, en Si en C vörme respectievelik ‘n gezichsgecentreerde kubieke raster; -SiC heet mie es 100 polytypes zoe wie 4H, 15R, en 6H, boe-oonder ‘t 6H-polytype weert gebruuk in industriële touwpassinge. De mies veurkómmende thermisch{10}} D’r is ‘n zekere thermische stabiliteitsrelasie tusse de versjèllende soorte SiC. Es de temperatuur lieger is es 1600 graod , besteit SiC in de vörm vaan -SCCHEURDING Es de temperatuur is hoeger es 1600 graod , -SiC transformeert zich langzaam in versjèllende polytypes vaan -SiCüts vaan -{18}H-SiC is gemeekkelik te vörme bij ongeveer 2000 graod ; 15R en 6H polytypes zien gemeekkelik te vörme bij ‘n hoege temperatuur bove 2100 graod ; veur 6H-SiC, zelfs es de temperatuur 2200 graod euvertref, is ‘t hiel stabiel{newig{27}} ‘t Begint-energieversjèl tusse versjèllende polytypes in SiC is hiel klein. Daarom kin de vaste oplossing vaan trace-imperiteite ouch veranderinge in de thermische stabiliteitsrelasie veroerzake tusse polytypes{29}}.
